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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN64N50P, 61 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXFN64N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-568
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN80N50P, 66 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXFN80N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-029
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTK17N120L, 17 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXTK17N120L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7859
  
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• IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN36N100, 36 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXFN36N100
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-795
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTK22N100L, 22 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXTK22N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7852
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN22N100L, 22 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXTN22N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7865
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN46N50L, 46 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXTN46N50L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7868
  
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• IXYS Linear 系列 Si N沟道 MOSFET IXTX22N100L, 22 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 700000 mW,
• 制造商零件编号：
  IXTX22N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7871
  
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