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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83.3 W,
• 制造商零件编号：
  IPI65R420CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6726
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83.3 W,
• 制造商零件编号：
  IPP65R420CFDXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6946
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83.3 W,
• 制造商零件编号：
  IPW65R420CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7148
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP9N60N, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83.3 W,
• 制造商零件编号：
  FCP9N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6159
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83.3 W,
• 制造商零件编号：
  IPB65R420CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2959
  
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