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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC019N04NSG, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PG-TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  BSC019N04NSGATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0172
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  IPP040N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2144
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3 G, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  BSC047N08NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4347
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17576Q5BT, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  CSD17576Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3830
  
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• Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFD, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  IPP220N25NFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6983
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1921TH, 153 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：正向跨导 120S,
• 制造商零件编号：
  MDP1921TH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4965
  
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