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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：栅极电容 2900pF,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2734
  
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• STMicroelectronics STGW45HF60WD N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：栅极电容 2900pF,
• 制造商零件编号：
  STGW45HF60WD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2902
  
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