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• Infineon IGB10N60T N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IGB10N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9055
  
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• Infineon IKB06N60T N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IKB06N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8570
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB072N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8340
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  SPB17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8482
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  SPB80P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3166
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPP072N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5480
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPP037N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5487
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB027N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9235
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9049
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB600N25N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9204
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4H1ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5182
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5189
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB042N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5237
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8671
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB034N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7419
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB65R660CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7444
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPP60R074C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7563
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPP65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7595
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPP65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7608
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6870
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB011N04N G, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB011N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6918
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB016N06L3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB016N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2899
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB014N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：高度 4.57mm,
• 制造商零件编号：
  IPB014N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2921
  
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