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• Fairchild Semiconductor FMB5551, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=160 V, HFE:80, 300 MHz, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  FMB5551
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-1013
  
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• Fairchild Semiconductor FMBM5551, 双 NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 300 MHz, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  FMBM5551
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-1038
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7949DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9011
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIRA04DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9370
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIS890DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIS892ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9399
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SISA12DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9402
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7164DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9529
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR484DP-T1-GE3, 17 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR484DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1281
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR850DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1294
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7454DDP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4236
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2B14FHTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8036
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2B14FHTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2636
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7454DDP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9241
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7456DDP-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SI7456DDP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9244
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIR401DP-T1-GE3, 50 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR401DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR870ADP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9355
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIR872DP-T1-GE3, 54 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR872DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9364
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIRA06DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9373
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIRA12DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9386
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SISA10DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9409
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR412DP-T1-GE3, 13.4 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 1.12mm,
• 制造商零件编号：
  SIR412DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1263
  
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