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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4286DY-T1-GE3, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4286DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3211
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH6445-TL-E, 3.5 A, Vds=60 V, 6引脚 CPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CPH6445-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9406
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC340N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5320
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ440N10NS3 G, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ440N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5386
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ340N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7352
  
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