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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB11N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1944
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7413PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2468
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5148
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD053N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9102
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328TRPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7328TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8885
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2385
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042NE7NS3 G, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC042NE7NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4334
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7413QPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-653
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB7N50APBF, 6.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIB7N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1966
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5670, 52 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD5670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9083
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3038
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP057N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5601
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2381
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C628NLT1G, 150 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C628NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9572
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N08N3G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB054N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9178
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3 G, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC047N08NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4347
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4420DYPBF, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4420DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3834
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8130
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4420DYPBF, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4420DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1049
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80PS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3047
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5157
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3 G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD053N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9437
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413TRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7413TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8914
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP057N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9471
  
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