产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR7821PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2301
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR8256PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7238
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
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Nexperia Si P沟道 MOSFET PMN50XP,165, 4.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMN50XP,165
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8423
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC638P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDC638P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4413
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTJS4151PT1G, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTJS4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0633
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET ECH8695R-TL-W, 11 A, Vds=24 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ECH8695R-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
842-7771
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17505Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD17505Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
730-0543
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDMA291P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6238
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SQ3419EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9452
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMG3415UFY4-7, 2.5 A, Vds=16 V, 3引脚 DFN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMG3415UFY4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4098
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