产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6477
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH130N60, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCH130N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1287
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6462
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6464
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6482
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7660DC, 150 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC7660DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9535
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET 晶体管 MTB30P06VT4G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MTB30P06VT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0970
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI70P04P4-09, 72 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI70P04P4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6744
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Infineon P沟道 MOSFET 模块 IPP70P04P4-09, 72 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP70P04P4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6965
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4510TRPBF, 63 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4510TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5011
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP65NF06, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP65NF06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0156
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8950
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8979
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L-13, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD30N06S2L-13
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5765
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB70P04P4-09, 72 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB70P04P4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4499
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH34N65X2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 54 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTH34N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1463
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