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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  BSC026N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8154
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD150N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  STD150N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9540
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLR3114ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7210
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3114Z, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3114Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1904
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDS4675_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8691
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZTRPBF, 130 A, Vds=40 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLR3114ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5109
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6715MTR1PBF, 34 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6715MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6759
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STU150N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  STU150N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9736
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4675, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDS4675
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3655
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RAL045P01TCR, 4.5 A, Vds=12 V, 6引脚 TUMT封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RAL045P01TCR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7545
  
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