产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIB452DK-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1253
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92PH6327XTSA1, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP92PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8501
搜索
Nexperia SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP89, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP89
品牌:
Nexperia
库存编号:
445-2281
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86106LZ, 3.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDT86106LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9706
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT4N25TF, 830 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQT4N25TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5939
搜索
IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTY2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTY2N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1476
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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTP2N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1482
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2303BDS-T1-E3, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI2303BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4667
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92P, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP92P
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8237
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R3K0CEBKMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPU50R3K0CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7078
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