产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8329
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET 晶体管 PMF280UN,115, 1.02 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMF280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8385
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMF400UN,115, 830 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMF400UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8391
查看其他仓库
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR280UN,115, 980 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMR280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8427
搜索
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMZ390UN,315, 1.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-883封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMZ390UN,315
品牌:
NXP
库存编号:
725-8449
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