产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR3504ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4362
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP42AN15A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4840
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP14N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5039
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC057N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5279
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC8462
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9134
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9881
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0008
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN027-100XS, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN027-100XS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2870
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTAG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVTFS5811NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4194
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTWG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVTFS5811NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4197
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPG20N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9222
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD50N06S4L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9061
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW15N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1493
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8671
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2734, 14 A, Vds=250 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS2734
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4942
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD18N20LZ, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD18N20LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8057
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4410DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2414
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P10, 16.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP17P10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5048
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD15NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1060
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3504Z, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR3504Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7417
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N04S3-07, 82 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD70N04S3-07
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3024
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STI13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9601
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STB13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9803
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP11NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9982
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