产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
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Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
VS-FB190SA10
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0953
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFB132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0984
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
VS-FB190SA10
品牌:
Vishay
库存编号:
762-0153
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFL132N50P3, 63 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFL132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4417
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN60N80P, 53 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFN60N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-350
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB38N100Q2, 38 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFB38N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5336
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFB132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4348
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN132N50P3, 112 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFN132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7599
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
VS-FB190SA10
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5788
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