产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE40PBF, 5.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPE40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9888
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4980
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8948
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STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFSL7762PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5101
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805S-7PPBF, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3805S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-663
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710SPBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3710SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9254
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60N, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW43NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2931
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK100E08N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5077
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6090
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6277
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2857
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI7536GPBF, 86 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI7536GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5050
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFSL7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5132
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3710PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4775
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9579
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5208
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6268
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF6201TRPBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF6201TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2843
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710LPBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3710LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5752
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP054NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4892
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3710PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9812
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP054NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1253
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S-7P, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3805S-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7449
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC016N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5229
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