产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80PF55
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7901
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFX64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1506
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFX80N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4502
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4110GPBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3962
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805PBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5756
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW13NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1573
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1427
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFR64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1455
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8595
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STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP80PF55
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1080
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW55NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1993
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPG50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1095
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW13NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5248
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK38N80Q2, 38 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK38N80Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5392
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3805
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7433
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7442
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N04-1m7L-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SQM120N04-1m7L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9516
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK80N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4405
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4-03, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB180P04P4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8674
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK80N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0990
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP3710PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1584
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW15NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5257
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK48N50Q, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK48N50Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5398
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3805S
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7445
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STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW55NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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