产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(13)
分立半导体
(13)
筛选品牌
Infineon (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPG20N04S4-12
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9115
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB17N25S3-100
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9002
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
搜索
Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSO615N G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2797
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP114N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5496
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD09P06PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9074
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP295
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2269
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099CP, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW60R099CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3065
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD25N06S2-40
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8973
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP318S, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP318S
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2816
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC090N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5282
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N04S4-10, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD50N04S4-10
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4600
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203GTRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLML5203GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5160
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号