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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB80NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5080
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5135
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5649
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4641
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7025
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2363
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80NF10FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5311
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB7440PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9188
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPD90P04P4L-04, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD90P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5230
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPI80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6805
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N04S4-01, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP120N04S4-01
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6870
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3037
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6214
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4559
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-01, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI120N04S4-01
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4653
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80NF10FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6572
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6658
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP80NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7888
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA70N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4966
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440TRLPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 135 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7440TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9153
  
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