产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1404ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8759
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA62N25C, 62 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA62N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4957
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7096
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7695
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7019
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTH62N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1417
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5201
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5223
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6936
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1404Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7689
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTP6411ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2963
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0402
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH240N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 8引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STH240N75F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0516
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDP7060
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1249
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6208
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2353
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2357
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Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHB33N60E-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHB33N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4478
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4-04, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD90P03P4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4343
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STL220N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
907-4760
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8828
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1404ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6813
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4534
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
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