产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN10H120SFG-7, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0465
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVF3055-100T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVF3055-100T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4305
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86252, 4.5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS86252
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9695
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H120SFG-13, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0529
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