产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9872
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8961
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9361
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFBE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1124
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8460, 167 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8460
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4844
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB20N60F_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1133
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN1R2-30YLC
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2906
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH42N60P3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH42N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4376
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KCS, 187 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
CSD19535KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4915
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB20N60F_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4762
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC082N10LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4312
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN1R2-30YLC
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8122
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPF30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2752
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF2710T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8590
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFBF30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9557
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7658AS, 177 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS7658AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4781
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8546
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