产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(57)
分立半导体
(57)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (7)
Infineon (39)
Magnatec (1)
Nexperia (1)
Vishay (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF740PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0020
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010ZPBF, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1010ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3690
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010ZS, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1010ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7673
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR5305
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4312
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9102
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1152
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPI15N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8778
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP15N60C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8810
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP15N60CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8813
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCPF190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4936
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC86570L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8231
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3890
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4769
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD80P03P4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7433
查看其他仓库
Vishay N沟道 MOSFET IRF840PBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF840PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0036
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9951
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP440PBF, 8.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP440PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9989
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2496
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF740STRL-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHF740STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2641
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP244PBF, 15 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP244PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2758
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80P03P4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6798
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCH104N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1271
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305TRPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR5305TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4789
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5305SPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF5305SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4836
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9777
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号