产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IPS135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5507
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03LGATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IPD135N03LGATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4574
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9301TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML9301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4060
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IPD135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5471
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Infineon Si N沟道 MOSFET IPP147N03L G, 20 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IPP147N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5490
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3714ZSPBF, 36 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL3714ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7187
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2F30FHTA, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ZXMN2F30FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2535
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMD4840NR2G, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTMD4840NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0670
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ROHM Si P沟道 MOSFET + 二极管 QS5U28TR, 2 A, Vds=20 V, 5引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
QS5U28TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-8563
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFTS8342TRPBF, 8.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRFTS8342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4127
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