产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8317
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NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PHC21025
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5380
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN2NF10, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STN2NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2149
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD02N60Z-1G, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDD02N60Z-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2777
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD03N50Z-1G, 2.6 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDD03N50Z-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2780
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8337TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH8337TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4381
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH6341-M-TL-E, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 CPH封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
CPH6341-M-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0812
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3671
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHF5N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9159
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD5P20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9026
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU2N95K5, 2 A, Vds=950 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STU2N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1471
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF5P20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8772
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP16NF06, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP16NF06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8764
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD08P06P
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3247
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9435A, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS9435A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0750
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF02N60ZG, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDF02N60ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2800
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Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2307CX RFG, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TSM2307CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6030
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD640N06L G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD640N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8375
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6341-TL-E, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MCH6341-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0821
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3811
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHP5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9184
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Toshiba TPC 系列 双 Si N沟道 MOSFET TPC8227-H,LQ(S, 5.1 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TPC8227-H,LQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5128
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5N60NZTM, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD5N60NZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0890
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1390
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