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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1079
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI740GPBF, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI740GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9692
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP120N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9673
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60ZFP, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9998
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0982
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4076
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4792
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4927
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPB16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3150
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC077N12NS3 G, 98 A, Vds=120 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC077N12NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5285
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0991
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R7-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN2R7-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2930
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3847
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPW16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3217
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA70N20, 70 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDA70N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8920
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86310, 50 A, 105 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86310
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9200
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6824NLT4G, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NVD6824NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1550
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3240
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7490
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215SPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6215SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0430
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1742
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB13NK60ZT4, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB13NK60ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5112
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4255
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB120N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0806
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8817
  
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