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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STY80NM60N, 74 A, Vds=600 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STY80NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6803
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK16N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5047
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5062
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK20E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5069
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQH8N100C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5857
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MTD6N15T4G, 6 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  MTD6N15T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-0057
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N60E, 77 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FCH041N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5053
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  RCX330N25
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7721
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6141
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK17E65W,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6157
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK20N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6167
  
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• IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F360N15T2, 235 A, Vds=150 V, 24引脚 SMPD封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F360N15T2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2493
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK16A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2901
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK17E65W,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2923
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK20N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2945
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STY60NK30Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1572
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB47P06TM_AM002
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0905
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA10N80C_F109, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA10N80C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4881
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQA36P15, 36 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA36P15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4938
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA9N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4985
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP9N90C, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP9N90C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5206
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF47P06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF47P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5269
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL-26, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB47N10SL-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8353
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5043
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK17N65W,S1F(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK17N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5053
  
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