产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
SI7615ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9248
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW9N150, 8 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
STW9N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1997
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3704ZPBF, 60 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
IRFR3704ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4378
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
IRFP4668PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7027
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU3704ZPBF, 60 A, Vds=20 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
IRFU3704ZPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
688-7137
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB017N06N3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
IPB017N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5412
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW9N150, 8 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
STW9N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0639
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R5-80PS, 120 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
PSMN3R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2952
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP023N08B_F102, 242 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
FDP023N08B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8521
查看其他仓库
IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN36N100, 36 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
IXFN36N100
品牌:
IXYS
库存编号:
193-795
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R5-80PS, 120 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 41 ns,
制造商零件编号:
PSMN3R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8123
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