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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9934BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3399
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM120N06-3m5L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3945
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE50PBF, 7.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPE50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1089
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIR872DP-T1-GE3, 54 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR872DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9364
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1069X-T1-GE3, 750 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1069X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3047
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPG50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1095
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9322
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9338
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHF18N50D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9204
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR418DP-T1-GE3, 23 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR418DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1275
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHF30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4490
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9310
  
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