产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIR466DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3406
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI8439DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9260
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIA447DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9288
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI2343CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3120
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4124DY-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI4124DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3195
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI9407BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1444
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI9424BDY-T1-E3, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI9424BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3383
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI4654DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3246
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N04-8M8P-4GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7470
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