产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(126)
分立半导体
(126)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (13)
Infineon (19)
IXYS (33)
Magnatec (1)
ON Semiconductor (2)
ROHM (4)
STMicroelectronics (38)
Toshiba (7)
Vishay (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IXFN140N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-739
搜索
Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB6N80TM, 5.8 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
FQB6N80TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0927
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
FDP3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4828
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP12NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5263
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP10NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5273
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF03, 120 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP200NF03
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5289
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIR466DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3406
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IPW60R045CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8397
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STW34NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9792
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP200NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0064
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
BUZ11_NR4941
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3515
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI8439DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9260
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIA447DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9288
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR80N50Q3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IXFR80N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1459
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFX80N50Q3, 80 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IXFX80N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1500
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX78N50P3, 78 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IXFX78N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4509
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI2343CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3120
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
R6012ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7539
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET ZDX130N50, 13 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
ZDX130N50
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7841
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IPB180N06S4H1ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5182
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IPB180N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5189
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB12NK80ZT4, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STB12NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0034
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A H, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
BUZ30A H
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2214
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
TK40A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2375
查看其他仓库
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号