产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IXTP7N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-506
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STB55NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-1922
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
FQP12P20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5010
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
FQP65N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5159
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STW15NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5342
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138LT3G, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSS138LT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
690-0136
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS138W-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSS138W-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2419
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS406DN-T1-GE3, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIS406DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3418
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STP7NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1085
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
FDB14N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8949
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STB155N3H6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9480
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STB7NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9516
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
STB10N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5690
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTB35N15T4G, 37 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
NTB35N15T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1695
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQA9P25, 6.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
FQA9P25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8991
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
FCP190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5065
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3142
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIR850DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1294
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFS7534TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8873
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSJ300N10TL, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-83封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
RSJ300N10TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7769
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPB80N06S405ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8995
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