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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB2710
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8961
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5122
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5138
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5419
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1266
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2100U-7, 3.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP2100U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2627
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6107
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6211
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2372
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  2SK4013,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4823
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6218
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2369
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2647
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD7N60TM, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  FCD7N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4131
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  SIGH20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  785-8641
  
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• STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET VNP14NV04-E, 12 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  VNP14NV04-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  809-1332
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  FDPF2710T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8590
  
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• Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  2SK4013,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  890-2698
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK9J90E, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK9J90E
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5153
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10J80E
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5159
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5126
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6202
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP2710
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8546
  
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• IXYS CoolMOS 系列 Si N沟道 MOSFET MKE38RK600DFELB, 50 A, Vds=600 V, 9引脚 SMPD封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  MKE38RK600DFELB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2550
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型接通延迟时间 80 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2366
  
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