产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3410
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7420
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5406NT4G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
NTD5406NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1018
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFR220TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0629
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R380CE, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IPP50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2267
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRF620PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0052
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRL530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0434
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STU2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
STU2NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0238
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IPA50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7510
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IPD50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7535
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFR220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9597
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRL530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1203
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5220TR2PBF, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFH5220TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4369
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
STD2NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9562
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8667-TL-H, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
ECH8667-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0143
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTLUS3A39PZTAG, 5.2 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
NTLUS3A39PZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1061
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRLL3303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3313
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410TRPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRLR3410TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3379
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC5661N_F085, 4 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
FDC5661N_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8013
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDS1524URH, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
MDS1524URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4978
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708PBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFR3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4984
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708TRPBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFR3708TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5173
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410PBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRLR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3809
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0065090J, 35 A, Vds=900 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
C3M0065090J
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
915-8830
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型接通延迟时间 7.2 ns,
制造商零件编号:
IRFU220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0597
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