产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(25)
分立半导体
(25)
筛选品牌
DiodesZetex (1)
Fairchild Semiconductor (4)
Infineon (7)
IXYS (4)
ON Semiconductor (2)
Vishay (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SiHP30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9348
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SiHG30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9421
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFK44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1411
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFX44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1499
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 EMH1405-TL-H, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
EMH1405-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0881
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IPD034N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9168
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
FDMS86500L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4897
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB011N04N G, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IPB011N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6918
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IRLR6225PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7293
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC031N06NS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
BSC031N06NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5257
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6679AZ, 51 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
FDMC6679AZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9522
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3033LSN-7, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
DMN3033LSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2564
查看其他仓库
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SIHF30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9322
搜索
Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SIHG30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9338
搜索
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8667-TL-H, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
ECH8667-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0143
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SQM50P03-07-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3955
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76633P3_F085, 39 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
HUF76633P3_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9315
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B215, 164 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IRL40B215
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7355
查看其他仓库
Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SiHF30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4490
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225TRPBF, 100 A, Vds=20 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IRLR6225TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5102
查看其他仓库
IXYS HiperFET, X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH60N65X2, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFH60N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1426
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
FDMS86500L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9645
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SIHB30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9310
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N80Q3, 37 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFN44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7571
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7085TRPBF, 147 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IRFH7085TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4170
查看其他仓库
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号