产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170LT1G, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
MMBF170LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2947
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NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
2N7002P
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8114
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170FTA, 150 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BS170FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
215-6587
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BS250FTA, 90 mA, Vds=45 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BS250FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
215-6593
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
IRLR7821PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2301
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BSS84
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0328
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN352AP, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
FDN352AP
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0447
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Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 2N7000CSM, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 LCC 1封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
2N7000CSM
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7593
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BSC080N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5288
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BSC520N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5323
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BSZ520N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5389
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
FDG328P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3399
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDT3N40TF, 2 A, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
FDT3N40TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3692
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDU3N40TU, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
FDU3N40TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0701
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
FQP3N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5872
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
HUF75329D3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6676
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170P, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BS170P
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2160
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
IPG20N04S4-12
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9115
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Microchip N沟道 Si MOSFET VN2222LL-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
VN2222LL-G
品牌:
Microchip
库存编号:
879-3274
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
2N7000_D26Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4074
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
BSC900N20NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4400
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Microchip Si N沟道 MOSFET DN2625DK6-G, 1.1 A, Vds=250 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
DN2625DK6-G
品牌:
Microchip
库存编号:
916-3725
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9478
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3715ZPBF, 49 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 10 ns,
制造商零件编号:
IRLR3715ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4570
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