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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R4-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8125
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4408
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N100Q3, 38 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFN44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7577
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8840
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7844
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHP22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9430
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F44N100Q3, 30 A, Vds=1000 V, 24引脚 SMPD封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2516
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STL220N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  907-4760
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STP38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2974
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STW38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2999
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STB38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3059
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STL38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3125
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC060P03NS3EG, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC060P03NS3EG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9266
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STP38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8824
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP75N10P, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTP75N10P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-486
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N15P, 96 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH96N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-322
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STF38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2983
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHG22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9412
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB44N100Q3, 44 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1373
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ECH8419-TL-H, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  ECH8419-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0813
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4499
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVB5860NT4G, 220 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  NVB5860NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4157
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSC060P03NS3E G, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC060P03NS3E G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9409
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 66 ns,
• 制造商零件编号：
  STL38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8818
  
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