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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710ZSPBF, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3710ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6853
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7092
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3710Z, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3710Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7664
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STF10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2723
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STF13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3640
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STP13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3788
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH3374-TL-E, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH3374-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0917
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645S3ST, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  HUF75645S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8701
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4141_F085, 10.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS4141_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8631
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP250NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4810
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF3710ZS, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3710ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7677
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC077N12NS3 G, 98 A, Vds=120 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC077N12NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5285
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STI10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STI10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9954
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7380PBF, 3.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7380PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0293
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STD13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3603
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP15N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9437
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH6320-TL-E, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH6320-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0948
  
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• ROHM Si N沟道 MOSFET RSQ045N03TR, 4.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-95封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  RSQ045N03TR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7778
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7380TRPBF, 3.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7380TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8904
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250MPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP250MPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4004
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4710PBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP4710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4010
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N04S4-01, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP120N04S4-01
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6870
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPS65R950C6AKMA1, 4.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IPS65R950C6AKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7050
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  STW13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7426
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 41 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5844
  
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