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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP450APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0030
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS5672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0542
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB4N80TM, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB4N80TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0908
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  NDS352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1084
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A16DN8TA, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A16DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2475
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002K-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-2706
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4852NT1G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4852NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2939
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  STB50N25M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0682
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9300
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5862N-1G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  NTD5862N-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1036
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD5862NT4G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  NTD5862NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1480
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  NTGS3446T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-4221
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL540STRL-GE3, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHL540STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0691
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S405ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8995
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN6070SSD-13, 4.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN6070SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0493
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC8651
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4954
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ_F126, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ_F126
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8192
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2672_F085, 3.9 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS2672_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8638
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R380CE, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP50R380CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2267
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35A08N1,S4X(S, 35 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  TK35A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2350
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SPD02N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  445-2360
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK80ZFP, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  STP4NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2329
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC30GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1382
  
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