以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB11N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1944
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1266
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB7N50APBF, 6.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIB7N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1966
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4835DDY-T1-GE3, 10.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4835DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1295
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM47N10-24L-GE3, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM47N10-24L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3951
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET SI4800BDY-T1-E3, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4800BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3351
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SIGH20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  785-8641
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR418DP-T1-GE3, 23 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR418DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1275
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR436DP-T1-GE3, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR436DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1288
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5435BDC-T1-E3, 4.3 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 32 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5435BDC-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4761
  
• 
  查看其他仓库