产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
PH8230E,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-150
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP350LCPBF, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRFP350LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0165
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRFPC50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9844
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRF820PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0002
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLR3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4514
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLR3705ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4558
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ44ZS, 51 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
AUIRFZ44ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7495
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3110Z, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3110Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1901
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
FDFME2P823ZT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9490
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
STD11NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9875
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 SCH1335-TL-H, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SCH封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
SCH1335-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1103
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
FDS6692A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0378
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
SIHF820L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2645
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
SPD15P10PG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5300
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZTRPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLR3705ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3376
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMS86163P, 7.9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
FDMS86163P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8442
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86540, 18 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
FDS86540
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8708
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZLPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRFZ44ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5857
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Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IPD60R600P6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7298
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7746PBF, 59 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRFB7746PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5148
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLU3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3976
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC019N04NSG, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PG-TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
BSC019N04NSGATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0172
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZSTRRPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRFZ44ZSTRRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5064
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZTRPBF, 63 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 33 ns,
制造商零件编号:
IRLR3110ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5099
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