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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP460LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0193
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7949DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9011
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP25N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9175
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7164DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9529
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3248
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG25N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9169
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5429DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9232
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4186DY-T1-GE3, 36 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4186DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3209
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI5419DU-T1-GE3, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5419DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1312
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0269
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5517DU-T1-GE3, 3.7 A，7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5517DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4321
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM27N20-78-E3, 27 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM27N20-78-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5023
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9250
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI8416DB-T2-E1, 16 A, Vds=8 V, 6引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8416DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9266
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9407BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1444
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4230
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SUM45N25-58-E3, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM45N25-58-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5026
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI8483DB-T2-E1, 16 A, Vds=12 V, 6引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8483DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9279
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2367DS-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2367DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3136
  
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• Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI5517DU-T1-GE3, 3.7 A，7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5517DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1334
  
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