产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(20)
分立半导体
(20)
筛选品牌
Vishay (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFD310PBF, 350 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFD310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2708
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRLD120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0484
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9520SPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9520SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4154
查看其他仓库
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ2310ES-T1_GE3, 6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SQ2310ES-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9443
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9120TRPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0648
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SIHLR120TR-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0720
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI5853DDC-T1-E3, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI5853DDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1343
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9520PBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9520PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0026
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830ASPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF830ASPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4110
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU310PBF, 1.7 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFU310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4847
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI3410DV-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI3410DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3148
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830APBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF830APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9434
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF710PBF, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF710PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0074
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9520PBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRF9520PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5140
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR310TRPBF, 1.7 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
IRFR310TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9049
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM60N06-15_GE3, 56 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SQM60N06-15_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9513
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4620DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 21 ns,
制造商零件编号:
SI4620DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3237
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号