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• STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  STP80PF55
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7901
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF16N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4761
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5107
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6198
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2954
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2338
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP16N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4742
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5097
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  R5019ANX
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7523
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6173
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6189
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2958
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  STP80PF55
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1080
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5081
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5093
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6185
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2331
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5090
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6182
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 165 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2335
  
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