以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI4020H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3201
  
• 
  搜索

• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84DW-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84DW-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2484
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3327
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA1024NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6216
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH8318TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4378
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP10N40D-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP10N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9171
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR0202PLT1G, 400 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  NTR0202PLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6299
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN045-80YS, 24 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN045-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2889
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  FDFS2P753Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3365
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2343CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3120
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI620GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0708
  
• 
  搜索

• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84V-7, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84V-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2185
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN62D0LFD-7, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 X1-DFN1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN62D0LFD-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3200
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8671
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA180N10N3 G, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2286
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S4L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9095
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL620SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  609-4203
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7834PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4104
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 BSS84TA, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7376
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4812
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH5204TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7265
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BSS84-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-4932
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD30N10S3L-34
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3018
  
• 
  搜索