产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF1405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1099
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
FQAF16N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4991
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
AUIRF2804S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7734
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF2804PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5558
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA69N25, 69 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
FDA69N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0792
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSJ300N10TL, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-83封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
RSJ300N10TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7769
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ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
RZR025P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7835
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405STRLPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF1405STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4939
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804STRLPBF, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF2804STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4948
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60DM2, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
STW56N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6485
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405SPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF1405SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
628-1744
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804SPBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF2804SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8771
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804LPBF, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRF2804LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8787
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
FQA11N90C_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4890
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
FQP70N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5174
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF70N10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
FQPF70N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5307
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
STP140NF75
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5302
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
AUIRFP2907
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1822
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60N, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
STW43NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2931
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPH, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
BSO301SPH
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9109
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907PBF, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRFP2907PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3865
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRFPG50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1095
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF50PBF, 6.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRFPF50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9901
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907PBF, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 130 ns,
制造商零件编号:
IRFP2907PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1500
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