产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IXFN140N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-739
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IPD65R250C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7125
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IRF7204PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9632
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE40PBF, 5.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IRFPE40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9888
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FDP20N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4809
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IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N60, 44 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IXFK44N60
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5358
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Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK3303010L, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SSSMini3 F2 B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FK3303010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
719-3193
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Panasonic FC 系列 双 Si N沟道 MOSFET FC6946010R, 100 mA, Vds=60 V, 6引脚 SSMini6 F3 B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FC6946010R
品牌:
Panasonic
库存编号:
728-6850
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IPW60R045CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8397
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Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK3503010L, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SMini3 F2 B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FK3503010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
760-2937
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STV240N75F3, 240 A, Vds=75 V, 10引脚 PowerSO封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
STV240N75F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0253
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A,260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
AUIRFS3107-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9168
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
AUIRFS4010
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9180
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK16N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5047
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK20A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5062
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK20E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5069
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET CPH6347-TL-H, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 CPH封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
CPH6347-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0800
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA20N50F, 22 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FDA20N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5071
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA20N50_F109, 22 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
FDA20N50_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5078
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
IRF7204TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8831
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK16J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6141
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6157
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6167
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP28N60M2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
STP28N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1459
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Microchip Si N沟道 MOSFET LND150N8-G, 30 mA, Vds=500 V, 4引脚 TO-243AA封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 100 ns,
制造商零件编号:
LND150N8-G
品牌:
Microchip
库存编号:
829-3253
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