产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 131 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA908PZ, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 131 ns,
制造商零件编号:
FDMA908PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8183
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB016N06L3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 131 ns,
制造商零件编号:
IPB016N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2899
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW48N60DM2, 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 131 ns,
制造商零件编号:
STW48N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6484
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB019N06L3G, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 131 ns,
制造商零件编号:
IPB019N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5293
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