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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB210N30P3, 210 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0987
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLS3034-7PPBF, 380 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLS3034-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7257
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHG47N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9332
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF36N60NT, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF36N60NT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7922
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTK3043NT1G, 280 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  NTK3043NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0630
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTS4001NT1G, 270 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  NTS4001NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4764
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN7R0-100XS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3016
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB36N60NTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8914
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP36N60N, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP36N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8917
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2035UVT-7, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP2035UVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5147
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTJD4001NT1G, 250 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  NTJD4001NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0608
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB210N30P3, 210 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4357
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFL210N30P3, 108 A, Vds=300 V, 3引脚 ISOPLUS264封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFL210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4411
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN210N30P3, 192 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFN210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7593
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5806TRPBF, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF5806TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3509
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 94 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB36N60NTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4803
  
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