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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4106FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7790
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3320FTA, 60 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN3320FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7926
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3306A, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN3306A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  655-543
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4106FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  169-4123
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS209PWH6327XTSA1, 500 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS209PWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0018
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ22DN20NS3 G, 7 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ22DN20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4463
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT459N, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  FDT459N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0707
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002WH6327XTSA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  SN7002WH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9998
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3320FTA, 60 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN3320FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7578
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 P沟道 Si MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  FDG6306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4423
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3310A, 200 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 6 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN3310A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1820
  
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